9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMBZ4688-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ4688-E3-18参考价格为0.03366美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMBZ4688-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 4.7V 350MW SOT23-3。您可以下载MMBZ4688-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMBZ4687-G3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如MMBZ4687-V-G-08，单位重量设计为0.000286盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-2，配置为单一，公差为±5%，最大功率为350mW，电压齐纳标称Vz为4.3V，电流反向泄漏Vr为4μa@2V，Pd功耗为350mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为4.3V，电压容差为5%，Ir反向电流为4uA。
MMBZ4687-G3-18带有用户指南，包括4.3V Vz齐纳电压，它们设计用于4.3V电压齐纳标称Vz，电压公差显示在数据表注释中，用于5%，提供0.000286盎司等单位重量功能，公差设计为±5%，以及SOT-23-3供应商设备包，该设备也可用于汽车、AEC-Q101系列。此外，该产品为小信号齐纳二极管，该器件的最大功率为350mW，该器件具有350mW的Pd功耗，零件别名为MMBZ4687-V-G-18，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为4 uA，电流反向泄漏Vr为4μA@2V，配置为单一。
MMBZ4687-HE3-08带有电路图，包括单一配置，它们设计为在4μa@2V电流反向泄漏Vr、Ir反向电流下工作，如数据表注释所示，用于4 uA，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及表面安装安装型，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该器件具有胶带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为350 mW，最大功率为350 W，产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车、AEC-Q101、，供应商设备包为SOT-23-3，公差为±5%，单位重量为0.000310盎司，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为4.3V，Vz齐纳电压为4.3V。
MMBZ4687-HE3-18，带EDA/CAD型号，包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替封装一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-23-2，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及小信号齐纳二极管产品，该器件也可以用作单配置。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有5%的电压容差，电流反向泄漏Vr为4μa@2V，电压齐纳标称Vz为4.3V，Vz齐纳电压为4.3 V，Ir反向电流为4 uA，最大功率为350mW，Pd功耗为350 mW，单位重量为0.000310盎司，公差为±5%，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C。
