9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMBZ4689-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ4689-E3-18参考价格$0.03366。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMBZ4689-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 5.1V 350MW SOT23-3。您可以下载MMBZ4689-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMBZ4688-G3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如MMBZ4688-V-G-18，单位重量设计为0.000286盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有供应商设备封装的SOT-23-2，配置为单一，公差为±5%，最大功率为350mW，电压齐纳标称Vz为4.7V，电流反向泄漏Vr为10μA@3V，Pd功耗为350 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为4.7 V，电压容差为5%，Ir反向电流为10 uA。
MMBZ4688-HE3-08带有用户指南，其中包括4.7V Vz齐纳电压，它们设计为在4.7V电压齐纳标称Vz下工作，数据表注释中显示了5%的电压公差，提供了0.000310盎司等单位重量功能，公差设计为±5%，以及SOT-23-3供应商设备包，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，该产品为小信号齐纳二极管，该器件的最大功率为350mW，该器件具有350mW的Pd功耗，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为10 uA，电流反向泄漏Vr为10μA@3V，配置为单一。
MMBZ4688-HE3-18，带有电路图，包括单配置，它们设计为在10μa@3V电流反向泄漏Vr、Ir反向电流下工作，如数据表注释所示，用于10μa，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及表面安装安装型，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该器件具有胶带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为350 mW，最大功率为350 W，产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车、AEC-Q101、，供应商设备包为SOT-23-3，公差为±5%，单位重量为0.000310盎司，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为4.7V，Vz齐纳电压为4.7V。
