9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SMAZ5921B-M3/5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMAZ5921B-M3/5A参考价格为0.10059美元。Vishay通用半导体-二极管事业部SMAZ5921B-M3/5A封装/规格：二极管ZENER 6.8V 500MW DO214AC。您可以下载SMAZ5921B-M3/5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMAZ5920B-E3/5A是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO214AC，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于0.00739盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该设备具有2.3 mm的高度特征，长度设计为4.5 mm，以及2.8 mm的宽度，该设备也可以用作DO-214AC，SMA封装外壳，其工作温度范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-214AC，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为6.2V，阻抗最大Zzt为2欧姆，电流反向泄漏Vr为200μa@4V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为6.2 V，电压容差为5%，齐纳电流为242 mA，Zz齐纳阻抗为2欧姆，Ir反向电流为200 uA。
SMAZ5920B-E3/61是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO214AC，包括2欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于242 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.8 mm，提供Vz齐纳电压特性，如6.2 V，电压齐纳标称Vz设计用于6.2V，以及5%电压容差，该设备也可作为1.5V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.003739盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-214AC供应商设备包，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为DO-214AA、SMA、，其工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+150 C，长度为4.5 mm，Ir反向电流为200 uA，阻抗最大Zzt为2欧姆，高度为2.3 mm，电流反向泄漏Vr为200μA@4V，配置为单一。
带有电路图的SMAZ5920B-M3/5A，包括200μA@4V电流反向泄漏Vr，它们设计为在2欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计为在DO-214AC、SMA以及胶带和卷轴（TR）交替包装包装中工作，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-214AC，该设备的容差为±5%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为6.2V。
SMAZ5920B-M3/61，带EDA/CAD模型，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，设计为表面安装安装型，包装箱如数据表注释所示，用于DO-214AC、SMA，提供供应商设备包装功能，如DO-214AC、电压正向Vf Max If设计为在900mV@10mA下工作，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该器件也可用作6.2V电压齐纳标称Vz。此外，最大功率为500mW，该器件提供200μA@4V电流反向泄漏Vr，该器件具有2欧姆阻抗最大Zzt，公差为±5%。
