9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的BZT52C33T-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT52C33T-TP价格参考$0.04400。Micro Commercial Co BZT52C33T-TP包装/规格：DIODE ZENER 33V 100MW SOD523。您可以下载BZT52C33T-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZT52C33S-TP是DIODE ZENER 33V 200MW SOD323，包括BZT52C33系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001164盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1毫米，长度为1.8毫米，设备也可以用作1.35毫米宽。此外，封装外壳为SC-76、SOD-323，其工作温度范围为-65°C~150°C，器件具有安装型表面安装，供应商器件封装为SOD-323、配置为单一，公差为±6%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为33V，阻抗最大Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@23.1V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为5%，电压温度系数为30.4 mV/C，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为100 nA。
BZT52C33-TP是DIODE ZENER 33V 500MW SOD123，包括80欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.8 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于33 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如33V，电压容差设计工作在6%，以及30.4 mV/C电压温度系数，该设备也可以用作900mV@10mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.001058 oz，该设备的公差为±6%，该设备具有供应商设备包的SOD-123，系列为BZT52C33，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW；包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为SOD-123，其工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175°C，长度为2.85 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为80 Ohm，高度为1.2 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@23.1V，配置为单一。
BZT52-C33ST/R，电路图由PANJIT制造。BZT52-C33ST/R采用SOD323封装，是IC芯片的一部分。
