9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85B75-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85B75-TAP价格参考$0.05610。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85B75-TAP封装/规格：DIODE ZENER 75V 1.3W DO41。您可以下载BZX85B75-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX85B6V8-TR是DIODE ZENER 6.8V 1.3W DO41，包括Automotive AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，提供安装类型特征，如通孔，高度设计为2.6 mm，以及4.1 mm长度，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±2%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为6.8V，阻抗最大值Zzt为3.5欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@4V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为6.8 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.038%/C，齐纳电流为155 mA，Zz齐纳阻抗为3.5欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZX85B6V2-TR是DIODE ZENER 6.2V 1.3W DO41，包括4欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于170 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如6.2 V，电压齐纳标称Vz设计用于6.2V，以及2%电压容差，该器件也可以用作0.032%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±2%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大Zzt为4 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@3V，配置为单一。
BZX85B6V8-TAP是二极管ZENER 6.8V 1.3W DO41，包括1μA@4V电流反向泄漏Vr，设计用于3.5欧姆阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-55°C~175°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向、，除了磁带盒（TB）替代包装包装外，该设备还可以用作1.3W最大功率。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备在DO-41供应商设备包中提供，该设备具有±2%的容差，电压齐纳标称Vz为6.8V。
