9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的BZT52C4V7T-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZT52C4V7T-TP参考价格为0.29000美元。Micro Commercial Co BZT52C4V7T-TP包装/规格：二极管ZENER 4.7V 100MW SOD523。您可以下载BZT52C4V7T-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BZT52C4V7T-TP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BZT52C4V7T-7是DIODE ZENER 4.7V 300MW SOD523，包括BZT52C7V7系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000035盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，高度设计为0.7 mm，长度1.3 mm，设备也可以用作0.9 mm宽度。此外，封装外壳为SC-79、SOD-523，其工作温度范围为-65°C~150°C，装置具有安装型表面安装，供应商装置封装为SOD-523，配置为单一，公差为±6%，最大功率为300mW，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@2V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为4.7 V，电压容差为6%，电压温度系数为-1.65 mV/C，齐纳电流为5 mA，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为3uA。
BZT52C4V7S-TP是DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323，包括78欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.35毫米宽的工作，数据表中显示了用于4.7V的Vz齐纳电压，提供电压齐纳标称Vz特性，如4.7V，电压容差设计为5%，以及-1.65 mV/C电压温度系数，该设备也可以用作900mV@10mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.001164盎司，该设备的公差为±6%，该设备具有供应商设备封装的SOD-323，系列为BZT52C4，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW；封装为Digi-ReelR交替封装，封装盒为SC-76、SOD-323，其工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+175°C，长度为1.8 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大Zzt为80 Ohm，高度为1 mm，电流反向泄漏Vr为3μA@2V，配置为单一。
BZT52C4V7-TP是DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123，包括单一配置，它们设计为在3μa@2V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.2 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如80 Ohm，Ir反向电流设计为3μa，长度为2.85 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该器件为表面安装安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-65℃~150℃，封装外壳为SOD-123，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为500 mW，最大功率为500mW，系列为BZT52C4，供应商设备封装为SOD-123，公差为±6%，单位重量为0.001058 oz，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压温度系数为-1.65 mV/C，电压公差为6%，电压齐纳标称Vz为4.7V，Vz齐纳电压为4.7V、宽度为1.8 mm，Zz齐纳阻抗为80欧姆。
