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CZRFR52C18是DIODE ZENER 18V 200MW 1005，包括CZRFR52C18系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，其高度特性为0.9 mm，宽度设计为1.3 mm，以及1005（2512公制）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~125°C。此外，安装类型为表面安装，该设备以1005/SOD-323F供应商设备包的形式提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为18V，阻抗最大Zzt为50欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@14V，电压正向Vf最大If为900mV@10mA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.9V（10mA），Vz齐纳电压为18V，电压容差为5%，齐纳电流为5mA，Zz齐纳阻抗为50欧姆，Ir反向电流为100nA。
CZRFR52C2是DIODE ZENER 2V 200MW 1005，包括100欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于5 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.3 mm，提供Vz齐纳电压特性，如2 V，电压齐纳标称Vz设计用于2V，以及5%电压容差，该器件也可以用作900mV@10mA正向电压Vf Max If。此外，10mA时的Vf正向电压为0.9 V，该器件的容差为±5%，该器件具有1005/SOD-323F的供应商器件封装，系列为CZRFR52C2，功率最大值为200mW，Pd功耗为200 mW，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为1005（2512公制），其工作温度范围为-55°C~125°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+125 C，Ir反向电流为100 uA，阻抗最大值Zzt为100 Ohm，高度为0.9 mm，电流反向泄漏Vr为100μA@1V，配置为单一。
CZRFR52C18-HF是DIODE ZENER 18V 200MW 1005，包括100nA@14V电流反向泄漏Vr，设计用于50欧姆阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~125°C，包装箱设计用于1005（2512公制），以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为200mW最大功率使用。此外，供应商设备包为1005/SOD-323F，该设备的容差为±5%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为18V。
