9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5236C-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5236C-TAP参考价格$0.02992。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5236C-TAP封装/规格：DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35。您可以下载1N5236C-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5236BTR是DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于0.004445盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供1.91 mm等高度特征，长度设计为4.56 mm，以及1.91 mm宽度，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为7.5V，阻抗最大Zzt为6欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@6V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为7.5 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.058%/C，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为6欧姆，Ir反向电流为3uA。
1N5236B-TR是DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35，包括6欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于20 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供Vz齐纳电压特性，如7.5 V，电压齐纳标称Vz设计用于7.5 V，以及5%电压容差，该器件也可用作0.058%/K电压温度系数。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，装置的单位重量为0.004409 oz，装置的公差为±5%，供应商装置包装为DO-35，系列为1N52xxB，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为3.9 mm，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大Zzt为6欧姆，高度为1.7 mm，反向电流Vr为3μA@6V，配置为单一。
1N5236BUR-1是由Microsemi制造的齐纳二极管齐纳稳压器二极管。1N5236BUR-1在DO-213AA封装中提供，是二极管齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管。
