9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5239C-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5239C-TAP参考价格$0.02992。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5239C-TAP封装/规格：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35。您可以下载1N5239C-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5239BTR是DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于1N5239BSTR_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004445盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为1.91 mm，长度4.56 mm，该装置也可以用作1.91mm宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大Zzt为10欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@7V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.068%/C，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为10欧姆，Ir反向电流为3uA。
1N5239B-TR是DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35，包括10欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于20 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供Vz齐纳电压特性，如9.1 V，电压齐纳标称Vz设计用于9.1V，以及5%电压容差，该器件也可用作0.068%/K电压温度系数。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，装置的单位重量为0.004409 oz，装置的公差为±5%，供应商装置包装为DO-35，系列为1N52xxB，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、，它的工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大Zzt为10欧姆，高度为1.7 mm，电流反向泄漏Vr为3μA@7V，配置为单一。
1N5239BUR-1是由Microsemi制造的齐纳二极管齐纳稳压器二极管。1N5239BUR-1在DO-213AA封装中提供，是二极管齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管。
