9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5252C-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5252C-TAP参考价格$0.02992。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5252C-TAP封装/规格：DIODE ZENER 24V 500MW DO35。您可以下载1N5252C-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5252BTR是DIODE ZENER 24V 500MW DO35，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于0.004445盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供1.91 mm等高度特征，长度设计为4.56 mm，以及1.91 mm宽度，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有DO-35供应商设备封装，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为24V，阻抗最大Zzt为33欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@18V，正向电压Vf Max If为1.2V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为24 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.088%/C，齐纳电流为5.2 mA，Zz齐纳阻抗为33欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5252B-TR是DIODE ZENER 24V 500MW DO35，包括33欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于5.2 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供Vz齐纳电压特性，如24 V，电压齐纳标称Vz设计用于24 V，以及5%电压容差，该器件也可以用作0.088%/K电压温度系数。此外，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，装置的单位重量为0.004409 oz，装置的公差为±5%，供应商装置包装为DO-35，系列为1N52xxB，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为3.9 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大值Zzt为33 Ohm，高度为1.7 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@18V，配置为单一。
1N5252BUR-1是由Microsemi制造的齐纳二极管齐纳稳压器二极管。1N5252BUR-1在DO-213AA封装中提供，是二极管-齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管、二极管齐纳单体24V 5%500mW 2引脚DO-213A。
