9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5253C-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5253C-TAP参考价格$0.02992。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5253C-TAP封装/规格：DIODE ZENER 25V 500MW DO35。您可以下载1N5253C-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5253B-TR是DIODE ZENER 25V 500MW DO35，包括1N52xxB系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004409盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计用于1.7 mm，以及3.9 mm长度，设备也可以用作1.7 mm宽度。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为25V，阻抗最大Zzt为35欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@19V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为25 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.089%/K，齐纳电流为5 mA，Zz齐纳阻抗为35欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5253BTR是DIODE ZENER 25V 500MW DO35，包括35欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于5 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.91 mm，提供Vz齐纳电压特性，如25 V，电压齐纳标称Vz设计用于25 V，以及5%电压容差，该器件也可以用作0.088%/C电压温度系数。此外，正向电压Vf Max If在200mA时为1.2V，装置的单位重量为0.004445盎司，装置公差为±5%，供应商装置包装为DO-35，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、，它的工作温度范围为-65°C~200°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65℃，最大工作温度范围+200℃，长度为4.56 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为35 Ohm，高度为1.91 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@19V，并且配置为单一。
1N5253BUR-1是由Microsemi制造的齐纳二极管齐纳稳压器二极管。1N5253BUR-1在DO-213AA封装中提供，是二极管齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管。
