9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5258C-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5258C-TAP参考价格$0.02992。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5258C-TAP封装/规格：DIODE ZENER 36V 500MW DO35。您可以下载1N5258C-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N5258C-TAP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N5258B-TR是DIODE ZENER 36V 500MW DO35，包括1N52xxB系列，它们设计为使用切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为1.7 mm，以及3.9 mm长度，设备也可以用作1.7 mm宽度。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为36V，阻抗最大值Zzt为70欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@27V，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为36 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.093%/K，齐纳电流为3.4 mA，Zz齐纳阻抗为70欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5258B-TP是DIODE ZENER 36V 500MW DO35，包括70欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在2毫米宽的情况下工作，数据表中显示了用于36V的Vz齐纳电压，提供36V等电压齐纳标称Vz特性，电压容差设计为工作在5%，以及0.093%/C电压温度系数，该装置也可作为1.1V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.004833 oz，该装置的公差为±5%，该装置具有DO-35供应商装置包装，系列为1N525，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为切割胶带（CT）替代包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，它的工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65℃，最大工作温度范围+200℃，长度为4.2 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为70 Ohm，高度为2 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@27V，并且配置为单一。
1N5258BUR-1是由Microsemi制造的齐纳二极管齐纳稳压器二极管。1N5258BUR-1在DO-213AA封装中提供，是二极管齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管。
