9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5262C-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5262C-TAP参考价格$0.02992。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5262C-TAP封装/规格：DIODE ZENER 51V 500MW DO35。您可以下载1N5262C-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5262B-TR是DIODE ZENER 51V 500MW DO35，包括1N52xxB系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004409盎司，提供安装类型功能，如通孔，高度设计为1.7 mm，以及3.9 mm长度，设备也可以用作1.7 mm宽度。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，该器件为通孔安装型，该器件具有DO-35供应商器件封装，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为51V，阻抗最大Zzt为125 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@39V，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为51 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.096%/K，齐纳电流为2.5 mA，Zz齐纳阻抗为125欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5262B-TP是500mW 51V的齐纳二极管，包括125欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计为在2毫米宽的情况下工作，Vz齐纳电压显示在数据表注释中，用于51 V，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计为在0.096%/C下工作，以及0.004833盎司的单位重量，该器件也可以用作1N526系列。此外，Pd功耗为500 mW，该设备采用卷筒包装，该设备具有DO-35封装盒，安装方式为通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，长度为4.2 mm，Ir反向电流为100 nA，高度为2 mm，配置为单一。
1N5262BUR-1是由Microsemi制造的齐纳二极管齐纳稳压器二极管。1N5262BUR-1在DO-213AA封装中提供，是二极管-齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管齐纳稳压器二极管、齐纳二极管、二极管齐纳单体51V 5%500mW 2引脚DO-213AA。
