9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的BZX84C9V1T-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX84C9V1T-7-F参考价格$0.06930。Diodes Incorporated BZX84C9V1T-7-F封装/规格：DIODE ZENER 9.1V 150MW SOT523。您可以下载BZX84C9V1T-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX84C9V1S-7-F是DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363，包括BZX84C7V1系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，高度设计为1毫米，长度为2.2毫米，设备也可以用作1.35毫米宽。此外，包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为SOT-363，配置为2独立，公差为±6%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为9.1V，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@6V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为9.1 V，电压容差为6%，电压温度系数为5.4 mV/C，齐纳电流为5 mA，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为500nA。
BZX84C9V1S-7是DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363，包括9.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±6%，提供供应商设备包功能，如SOT-363，功率最大值设计为200mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可作为6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒使用，其工作温度范围为-65°C~150°C，该设备为表面安装安装型，该设备具有15欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为500nA@6V，配置为2独立。
BZX84C9V1ST是ST制造的二极管齐纳阵列9.1V SOT363。BZX84C9 V1ST采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装，是二极管齐纳-阵列的一部分，并支持二极管齐纳列阵9.1V SOT363。
