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1PMT4100E3/TR7带有引脚细节，包括POWERMITER系列，它们设计用于齐纳二极管产品。数据表备注中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，该包装提供DO-216AA等包装箱功能，其工作温度范围为-55°C~150°C，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作DO-216供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备具有±5%的容差，该设备的最大功率为1W，电压齐纳标称Vz为7.5V，阻抗最大Zzt为200欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@5.7V，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为1 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，在200mA时Vf正向电压为1.1V，Vz齐纳电压为7.5V，电压容差为5%，电压温度系数为0.045%/C，齐纳电流为111.5mA，Zz齐纳阻抗为200欧姆，Ir反向电流为10uA。
1PMT4100CE3/TR13带有用户指南，包括7.5V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±2%，提供了供应商设备包功能，如DO-216，该系列设计用于POWERMITER，以及1W功率最大值，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-216AA，其工作温度范围为-55°C~150°C，装置具有安装型表面安装，阻抗最大Zzt为200欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@5.7V。
1PMT4100CE3/TR7，带电路图，包括10μA@5.7V电流反向泄漏Vr，它们设计为在200欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计为在DO-216AA以及磁带和卷轴（TR）替代包装中工作，该设备也可以用作1W最大功率。此外，该系列是POWERMITER，该设备在DO-216供应商设备包中提供，该设备具有±2%的容差，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为7.5V。
1PMT4100E3/TR13，带EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）替代包装包装，它们设计用于表面安装安装型，系列如数据表注释所示，用于POWERMITER，提供DO-216AA等包装箱功能，供应商设备包设计用于DO-216，以及7.5V电压齐纳标称Vz，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，阻抗最大值Zzt为200欧姆，该器件提供1W功率最大值，该器件在5.7V电流反向泄漏Vr时具有10μa，在200mA时正向电压Vf最大值If为1.1V，公差为±5%。
