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BZT52C18-E3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000363盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOD-123包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOD-123供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，功率最大值为410mW，电压齐纳标称Vz为18V，阻抗最大值Zzt为18 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@14V，Pd功耗为410 mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vz齐纳电压为18 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.95 mV/C，齐纳电流为18 mA，Zz齐纳阻抗为50欧姆，Ir反向电流为100 nA。
BZT52C18-E3-18带用户指南，包括50欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于18 mA齐纳电流，Vz齐纳电压显示在数据表注释中，用于18 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如18V，电压容差设计为工作在5%，以及0.95 mV/C电压温度系数，该装置也可以用作0.000363盎司单位重量。此外，公差为±5%，该设备采用SOD-123供应商设备包，该设备具有汽车AEC-Q101系列，产品为小信号齐纳二极管，最大功率为410mW，Pd功耗为410 mW，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-123，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为18 Ohm，电流反向泄漏Vr为100nA@14V，配置为单一。
BZT52C18-7-G，电路图由DIODES制造。BZT52C18-7-G采用S封装，是IC芯片的一部分。
