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3SMBJ5927B-TP是DIODE ZENER 12V 3W DO214AA，包括3SMBJ592系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003284盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为2.44 mm，长度为4.7 mm，设备宽度也可为3.94 mm。此外，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为DO-214A a（SMB），配置单一，公差为±5%，功率最大值为3W，电压齐纳标称Vz为12V，阻抗最大值Zzt为6.5欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@9.1V，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为12 V，电压容差为5%，Zz齐纳阻抗为6.5欧姆，Ir反向电流为500 nA。
3SMBJ5930B-TP是DIODE ZENER 16V 3W DO214AA，包括10欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为3.94 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于16 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如16V，电压容差设计工作在5%，以及1.5V@200mA电压正向Vf Max If，该装置也可以用作0.003284盎司单位重量。此外，公差为±5%，该器件采用DO-214AA（SMB）供应商器件封装，该器件具有3SMBJ593系列，最大功率为3W，Pd功耗为3 W，封装为Digi-ReelR替代封装，封装外壳为DO-214AB，SMB，工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，长度为4.7 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大值Zzt为10 Ohm，高度为2.44 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@12.2V，配置为单一。
3SMBJ5928B-TP是DIODE ZENER 13V 3W DO214AA，包括单一配置，它们设计为在1μa@9.9V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.44 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如7 Ohm，Ir反向电流设计为在500 nA下工作，长度为4.7 mm，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该器件为表面安装安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-55℃~150℃，封装外壳为DO-214AA，SMB，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为3 W，最大功率为3W，系列为3SMBJ592，供应商设备包为DO-214AA（SMB），公差为±5%，单位重量为0.003284盎司，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，电压公差为5%，电压齐纳标称Vz为13V，Vz齐纳电压为13V、宽度为3.94mm，Zz齐纳阻抗为7欧姆。
3SMBJ5929B-TP是DIODE ZENER 15V 3W DO214AA，包括表面安装安装型，它们设计用于SMD/SMT安装型，配置如数据表注释所示，用于单体，提供DO-214AA、SMB等包装箱功能。供应商设备包设计用于DO-214AB（SMB），以及Digi-ReelR替代包装，该器件也可以用作9欧姆Zz齐纳阻抗。此外，阻抗最大值Zzt为9欧姆，工作温度范围为-55°C~150°C，器件具有500 nA的Ir反向电流，电压公差为5%，长度为4.7 mm，功率最大值为3W，系列为3SMBJ592，宽度为3.94 mm，Pd功耗为3 W，高度为2.44 mm，电流反向泄漏Vr为1μa@11.4V，电压齐纳标称Vz为15V，Vz齐纳电压为15 V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，单位重量为0.003284 oz，公差为±5%，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C。
