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1PMT33AT3G是TVS DIODE 33VWM POWERMITE，包括1PMT5.0AT1/T3系列，它们设计用于齐纳型，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供SMD/SMT等安装样式功能，终端样式设计用于SMD/SMT，其工作温度范围为-55 C至+150 C，该装置也可以用作1.15mm高度。此外，长度为2.18 mm，设备提供2.05 mm宽，设备具有DO-216AA封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型为表面安装，应用为通用型，供应商设备封装为Powermite，单向通道为1，电压反向间隔类型为33V，电压击穿最小值为36.7V，电压钳位最大值Ipp为53.3V，功率峰值脉冲为1000W（1kW），电源线保护为No，Pd功耗为1kW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，击穿电压为36.7 V，钳位电压为53.3 V，峰值浪涌电流为3.8A，工作电压为33V，极性为单向。
1PMT33AT1G是TVS DIODE 33VWM POWERMITE，包括33V电压反向间隔类型，它们设计用于53.3V电压钳位最大Ipp，电压击穿最小值如数据表注释所示，用于36.7V，提供单向信道功能，如1，类型设计用于齐纳，以及POWERMITE供应商设备包，该器件也可以用作1000W（1kW）功率峰值脉冲。此外，电源线保护为否，该设备采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有DO-216AA包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型为表面安装，应用为通用型。
1PMT33AT3是TVS DIODE 33VWM POWERMITE，包括通用应用，它们设计用于表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供DO-216AA等封装外壳功能，封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及无电源线保护，该器件也可以用作1000W（1kW）功率峰值脉冲。此外，供应商设备包为Powermite，该设备为齐纳型，该设备具有1个单向通道，最小电压击穿电压为36.7V，最大电压钳位Ipp为53.3V，电压反向间隔类型为33V。
1PMT36AT1是TVS DIODE 36VWM POWERMITE，包括齐纳型，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如POWERMITE，电源线保护设计用于No，以及通用应用，该装置也可用作DO-216AA包装箱。此外，电压钳位最大Ipp为58.1V，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），器件的最小电压击穿电压为40V，电压反向间隔类型为36V，功率峰值脉冲为1000W（1kW），单向信道为1。
