9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的EDZTE6133B,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。EDZTE6133B参考价格为0.35000美元。Rohm Semiconductor EDZTE6133B封装/规格:DIODE ZENER 33V 150MW EMD2。您可以下载EDZTE6133B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如EDZTE6133B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
EDZTE613.6B是DIODE ZENER 3.6V 150MW EMD2,包括EDZ 3.6B系列,它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供0.6 mm的高度特性,长度设计为1.2 mm,以及0.8 mm的宽度,该设备也可以用作SC-79、SOD-523包装箱,其工作温度范围为-55°C~150°C,该设备为表面安装型,该设备具有供应商设备包的EMD2,配置为单一,公差为±3%,最大功率为150mW,电压齐纳标称Vz为3.6V,阻抗最大Zzt为100欧姆,电流反向泄漏Vr为10μa@1V,Pd功耗为150 mW,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,Vz齐纳电压为3.7225 V,电压容差为3%,齐纳电流为5 mA,Zz齐纳阻抗为100欧姆,Ir反向电流为10 uA。
EDZTE6130B是DIODE ZENER 30V 150MW EMD2,包括200欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于2 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于0.8 mm,提供Vz齐纳电压特性,例如29.94 V,电压齐纳标称Vz设计用于30 V,以及3%的电压容差,该设备也可以用作±3%的容差。此外,供应商设备包装为EMD2,设备为EDZ 20B系列,设备最大功率为150mW,Pd功耗为150mW。包装为Digi-ReelR交替包装,包装箱为SC-79、SOD-523,工作温度范围为-55°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,长度为1.2 mm,Ir反向电流为100 nA,阻抗最大Zzt为200 Ohm,高度为0.6 mm,电流反向泄漏Vr为100nA@23V,配置为单一。
EDZTE613.9B是DIODE ZENER 3.9V 150MW EMD2,包括单一配置,它们设计为在5μa@1V电流反向泄漏Vr下工作,高度如数据表注释所示,用于0.6 mm,提供阻抗最大Zzt特性,例如100欧姆,Ir反向电流设计为在5uA下工作,长度为1.2 mm,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,该器件为表面安装安装型,该器件具有安装型SMD/SMT,其工作温度范围在-55℃~150℃之间,封装外壳为SC-79、SOD-523,封装为Digi-ReelR交替封装,Pd功耗为150 mW,最大功率为150mW,系列为EDZ 3.9B,供应商设备包为EMD2,公差为±3%,电压公差为3%,电压齐纳标称Vz为3.9V,Vz齐纳电压为4.025V,宽度为0.8mm,齐纳电流为5mA,Zz齐纳阻抗为100欧姆。