9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SMBZ5926B-E3/5B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMBZ5926B-E3/5B参考价格为0.17323美元。Vishay General Semiconductor-二极管事业部SMBZ5926B-E3/5B封装/规格：二极管ZENER 11V 3W DO214AA。您可以下载SMBZ5926B-E3/5B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMBZ5925B-E3/5B是DIODE ZENER 10V 3W DO214AA，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于0.006349盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供2.24 mm等高度特征，长度设计为4.57 mm，以及3.94 mm宽度，该设备也可以用作DO-214AA，SMB封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-214AA（SMBJ），配置为单一，公差为±5%，最大功率为3W，电压齐纳标称Vz为10V，阻抗最大Zzt为4.5欧姆，电流反向泄漏Vr为25μa@8V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为550 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为10 V，电压容差为5%，齐纳电流为150 mA，Zz齐纳阻抗为4.5欧姆，Ir反向电流为25 uA。
SMBZ5926B-E3/52是DIODE ZENER 11V 3W DO214AA，包括5.5欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于136 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于3.94 mm，提供Vz齐纳电压特性，如11 V，电压齐纳标称Vz设计用于11 V，以及5%电压容差，该设备也可作为1.5V@200mA正向电压Vf Max If使用。此外，单位重量为0.006349盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有供应商设备包的DO-214AA（SMBJ），功率最大值为3W，Pd功耗为550 mW，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214AB，SMB，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C、长度4.57 mm、Ir反向电流5 uA、阻抗最大Zzt为5.5 Ohm、高度2.24 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@8.4V，配置为单一。
SMBZ5926B，带有VISHAYMAS制造的电路图。SMBZ5926B采用SMB封装，是二极管齐纳-单体的一部分。
