9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SMBZ5932B-E3/5B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMBZ5932B-E3/5B参考价格为0.17323美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SMBZ5932B-E3/5B封装/规格：DIODE ZENER 20V 3W DO214AA。您可以下载SMBZ5932B-E3/5B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMBZ5932B-E3/52是DIODE ZENER 20V 3W DO214AA，包括胶带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为单位重量为0.006349盎司，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供2.24 mm等高度特征，长度设计为4.57 mm，以及3.94 mm宽度，该设备也可以用作DO-214AA，SMB封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-214AA（SMBJ），配置为单一，公差为±5%，功率最大值为3W，电压齐纳标称Vz为20V，阻抗最大值Zzt为14欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@15.2V，电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为550 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为20 V，电压容差为5%，齐纳电流为75 mA，Zz齐纳阻抗为14欧姆，Ir反向电流为1 uA。
SMBZ5931B-M3/52，带有用户指南，包括18V电压齐纳标称Vz，它们设计为在200mA电压正向Vf最大值为1.5V的情况下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±2%，提供了供应商设备包功能，如DO-214AA（SMBJ），功率最大值设计为550mW，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该设备也可作为DO-214AA、SMB封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装安装型，该设备具有12欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为1μa@13.7V。
SMBZ5931B-M3/5B，带电路图，包括1μA@13.7V电流反向泄漏Vr，它们设计为在12欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-55°C~150°C，包装箱设计用于DO-214AA、SMB以及磁带和卷轴（TR）替代包装包装，该设备也可作为550mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMBJ），该设备的容差为±2%，该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为18V。
