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2N4117是JFET N沟道硅JFET晶体管,包括通孔安装型,它们设计为与to-72-3封装盒一起工作,数据表说明中显示了用于Si的技术,提供了单级、Pd功耗等配置功能,设计为工作在300 mW,其最大工作温度范围为+125 C,它的最小工作温度范围为-55℃。此外,Id连续漏极电流为50 mA,器件提供-40 V Vds漏极-源极击穿电压,器件具有N沟道晶体管极性,正向跨导最小值为70 uS,Vgs栅极-源极电压为-40 V,漏极-漏极电压Vdss为90 uA,栅极-源极截止电压为-1.8V,最大漏极-栅极电压为-40V。
2N4093是JFET N-CH 40V 0.36W SMD,包括-40 V Vgs栅极-源极击穿电压,它们设计为在10 V Vds漏极-源极间击穿电压下工作。晶体管极性如数据表注释所示,用于N沟道,提供Si等技术特性。系列设计用于2N4093,以及80欧姆Rds漏极源极电阻,该器件也可以用作300mW Pd功率耗散。此外,包装为卷筒式,该器件采用TO-18-3封装盒,该器件具有安装型通孔,Id连续漏极电流为5 mA,栅源截止电压为-5 V,漏极到源极电压Vdss为5 mA。该配置为单级。
2N4104是双极晶体管-BJT JFET N-Ch,包括散装封装,它们设计用于2N4101系列。
2N4093UB,带有Microsemi制造的EDA/CAD模型。是JFET(结场效应)的一部分,并支持JFET N沟道JFET、JFET N道40V 360mW表面安装3-UB(3.09x2.45)。