9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的SMJ4755AE3/TR13,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SMBJ4755AE3/TR13参考价格为0.42000美元。Microchip Technology SMBJ4755AE3/TR13封装/规格:DIODE ZENER 43V 2W SMBJ。您可以下载SMBJ4755AE3/TR13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMBJ4754E3/TR13,带有引脚细节,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于与DO-214AA、SMB封装外壳一起工作,其工作温度范围为-65°C~150°C,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备封装设计用于SMBJ(DO-214AB),以及±10%的公差,设备也可以用作2W功率最大值。此外,电压齐纳标称Vz为39V,器件提供60欧姆阻抗最大Zzt,器件具有5μa@29.7V电流反向泄漏Vr,电压正向Vf最大If为1.2V@200mA。
SMBJ4755/TR13,带有用户指南,包括43V电压齐纳标称Vz,它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了公差,公差为±10%,提供了供应商设备包功能,如SMBJ(DO-214AA),功率最大设计为2W,以及磁带和卷轴(TR)封装,SMB封装外壳,其工作温度范围为-65°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件阻抗最大值为70欧姆,电流反向泄漏Vr为5μa@32.7V。
SMBJ4754C/TR13,带有电路图,包括5μA@29.7V电流反向泄漏Vr,它们设计为在60欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,其工作温度范围为-65°C~150°C,包装箱设计用于DO-214AA、SMB以及磁带和卷轴(TR)包装,该设备也可以用作2W功率最大值。此外,供应商设备包为SMBJ(DO-214AA),该设备提供±2%的容差,该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为39V。
SMBJ4754CE3/TR13,带EDA/CAD型号,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于表面安装安装型,供应商设备封装如SMBJ(DO-214AA)中使用的数据表注释所示,该SMBJ提供封装箱功能,如DO-214AB、SMB,其工作温度范围为-65°C~150°C,以及60欧姆阻抗最大Zzt,该器件还可以用作5μA@29.7V电流反向泄漏Vr。此外,电压齐纳标称Vz为39V,该设备提供2W功率最大,该设备在200mA时具有1.2V的电压正向Vf Max If,容差为±2%。