9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5225BUR-1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5225BUR-1价格参考2.76000美元。Microchip Technology 1N5225BUR-1封装/规格:DIODE ZENER。您可以下载1N5225BUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5225B-TR是DIODE ZENER 3V 500MW DO35,包括1N52xxB系列,它们设计为使用切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004409盎司,提供安装类型功能,如通孔,高度设计为1.7 mm,以及3.9 mm长度,设备也可以用作1.7 mm宽度。此外,封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向,该器件为通孔安装型,该器件具有DO-35供应商器件封装,配置为单一,公差为±5%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为3V,阻抗最大Zzt为29欧姆,电流反向泄漏Vr为50μa@1V,正向电压Vf Max If为1.1V@200mA,Pd功耗为500mW,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为3 V,电压容差为5%,电压温度系数为-0.075%/K,齐纳电流为20 mA,Zz齐纳阻抗为29欧姆,Ir反向电流为50uA。
1N5225B-TAP是DIODE ZENER 3V 500MW DO35,包括29欧姆Zz齐纳阻抗,设计用于20 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于1.7 mm,提供Vz齐纳电压特性,如3 V,电压齐纳标称Vz设计用于3V,以及5%电压容差,该器件也可用作-0.075%/K电压温度系数。此外,正向电压Vf Max If为1.1V@200mA,装置的单位重量为0.004409盎司,装置的公差为±5%,供应商装置包装为DO-35,系列为汽车、AEC-Q101,最大功率为500mW,Pd功耗为500mW;包装为磁带盒(TB),包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、,它的工作温度范围为175°C,安装类型为通孔,安装类型是通孔,最小工作温度范围是-65 C,最大工作温度范围+175 C,长度为3.9 mm,Ir反向电流为50 uA,阻抗最大Zzt为29 Ohm,高度为1.7 mm,电流反向泄漏Vr为50μA@1V,配置为Single。
1N5225B-TP是DIODE ZENER 3V 500MW DO35,包括单一配置,它们设计为在50μa@1V电流反向泄漏Vr下工作,高度如数据表注释所示,用于2mm,提供阻抗最大Zzt特性,如29欧姆,Ir反向电流设计为在50uA下工作,长度为4.2mm,最大工作温度范围为+200℃,其最低工作温度范围为-65℃,该设备为通孔安装型,该设备具有安装型通孔,其工作温度范围在-55℃~150℃之间,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向,包装为切割胶带(CT)交替包装,Pd功耗为500mW,最大功率为500mW,该系列为1N522,供应商设备包为DO-35,公差为±5%,单位重量为0.004833 oz,电压正向Vf Max If为1.1V@200mA,电压温度系数为-0.075%/C,电压公差为5%,电压齐纳标称Vz为3V,Vz齐纳电压为3 V,宽度为2 mm,Zz齐纳阻抗为29欧姆。