9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5259BUR-1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5259BUR-1参考价格2.76000美元。Microchip Technology 1N5259BUR-1包装/规格:DIODE ZENER。您可以下载1N5259BUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5259B-TR是DIODE ZENER 3.2A 39V DO35,包括汽车AEC-Q101系列,它们设计为使用胶带和卷轴(TR)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004409盎司,提供安装方式功能,如通孔,高度设计为1.7 mm,长度3.9 mm,该装置也可以用作1.7mm宽。此外,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向,其工作温度范围为-65°C~175°C,设备具有安装型通孔,供应商设备包装为DO-35,配置为单一,公差为±5%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为39V,阻抗最大Zzt为80欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@30V,电压正向Vf Max If为1.1V@200mA,Pd功耗为500mW,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为39V,电压容差为5%,电压温度系数为0.094%/K,齐纳电流为3.2mA,Zz齐纳阻抗为80欧姆,Ir反向电流为100nA。
1N5259B-TAP是DIODE ZENER 3.2A 39V DO35,包括80欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于3.2mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于1.7mm,提供Vz齐纳电压特性,如39V,电压齐纳标称Vz设计用于39V,以及5%电压容差,该装置也可用作0.094%/K电压温度系数。此外,正向电压Vf Max If在200mA时为1.1V,装置的单位重量为0.004409盎司,装置的公差为±5%,供应商装置包装为DO-35,系列为汽车、AEC-Q101,最大功率为500mW,Pd功耗为500 mW,包装为磁带盒(TB)交替包装,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、,它的工作温度范围为-65°C~175°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔。它的最低工作温度范围是-65 C,最大工作温度范围+175 C,长度为3.9 mm,Ir反向电流为100 nA,阻抗最大Zzt为80 Ohm,高度为1.7 mm,并且电流反向泄漏Vr为100nA@30V,并且配置为单一。
1N5259B-TP是DIODE ZENER 39V 500MW DO35,包括单一配置,它们设计为在100nA@30V电流反向泄漏Vr下工作,高度如数据表注释所示,用于2mm,提供阻抗最大Zzt特性,如80欧姆,Ir反向电流设计为在100 nA下工作,长度为4.2 mm,其最大工作温度范围为+200℃,最小工作温度范围是-65℃,该设备为通孔安装型,该设备具有安装型通孔,其工作温度范围在-55℃~150℃之间,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向,包装为切割胶带(CT)交替包装,Pd功耗为500mW,最大功率为500mW;系列为1N525;供应商设备封装为DO-35;公差为±5%;单位重量为0.004833 oz;电压正向Vf Max If为1.1V@200mA;电压温度系数为0.094%/C;电压公差为5%;电压齐纳标称Vz为39V;Vz齐纳电压为39V,Zz齐纳阻抗为80欧姆。