9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5519B,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5519B参考价格1.74000美元。Microchip Technology 1N5519B包装/规格:二极管ZENER。您可以下载1N5519B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5420是DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF,包括快速恢复整流器产品,它们设计用于散装包装,安装方式如数据表注释所示,用于轴向,其工作温度范围为-65 C至+175 C,包装箱设计用于SQ-MELF,B,以及通孔安装类型,该设备也可以用作B,SQ-MELF供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为1μa@600V,正向电压Vf Max If为1.5V@9A,直流反向电压Vr Max为600V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为400ns,其工作温度结范围为-65°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为20 uA,If正向电流为4.5 A,最大浪涌电流为150 A,恢复时间为400 ns。
1N5420US是DIODE GEN PURP 600V 3A D5B,包括1.5V@9A电压正向Vf Max。如果它们设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于D-5B的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为在400ns内工作等速度特性,该器件也可用作E-MELF封装盒,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为1μa@600V,电流平均整流Io为3A。
带电路图的1N5518B(DO35),包括5μA@1V电流反向泄漏Vr,其设计为在26欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供安装类型特征,如通孔,其工作温度范围为-65°C~175°C,以及DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳,该装置也可以用作散装包装。此外,最大功率为500mW,该设备采用DO-35供应商设备包提供,该设备具有±5%的公差,单位重量为0.004833 oz,电压正向Vf Max If为1.1V@200mA,电压齐纳标称Vz为3.3V。
1N5518BUR-1是Microsemi制造的齐纳二极管低压雪崩齐纳。1N5518BUR-1在DO-213AA封装中提供,是二极管-齐纳-单体的一部分,并支持齐纳二极管低压雪崩齐纳,齐纳二极管。