9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N4627UR-1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。2007年1月1日UR-1参考价格为6.30000美元。微芯片技术JAN1N4627UR-1包装/规格:二极管ZENER 6.2V 500MW DO213AA。您可以下载JAN1N4627UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4627 TR带有销细节,包括1N4627系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004586盎司,提供安装样式功能,如通孔,商品名设计用于1N4627,以及2.29 mm(最大)高度,该设备也可用于5.08 mm(最大值)长度。此外,宽度为2.29 mm(最大值),该器件采用DO-35-2封装盒,该器件具有单一配置,Pd功耗为250 mW,最大工作温度范围为+200 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为6.2 V,电压容差为5%,齐纳电流为45 mA,Zz齐纳阻抗为1200欧姆,Ir反向电流为10uA。
1N4626UR是DIODE ZENER 5.6V 500MW DO213AA,包括5.6V电压齐纳标称Vz,它们设计用于在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了用于0.001199盎司的单位重量,提供±5%的公差特性,供应商设备包设计用于DO-213AA,以及500MW最大功率,该装置也可以用作散装包装。此外,封装外壳为DO-213AA(玻璃),其工作温度范围为-65°C~175°C,该器件具有安装型SMD/SMT,安装类型为表面安装,阻抗最大Zzt为1400欧姆,电流反向泄漏Vr为1μa@5.2V。
1N4627-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO7,包括1μA@5.7V电流反向泄漏Vr,设计用于在1200欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,其工作温度范围为-65°C~175°C,包装箱设计用于DO-204AA、DO-7、轴向以及散装包装,该设备也可作为500mW最大功率使用。此外,供应商设备包为DO-7,该设备的容差为±5%,该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为6.2V。
1N4627UR是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA,包括表面安装型,它们设计用于DO-213AA(玻璃)封装盒,供应商设备封装如数据表注释所示,用于DO-213A a,提供散装等封装功能,其工作温度范围为-65°C~175°C,以及6.2V电压齐纳标称Vz,该设备还可以用作500mW最大功率。此外,电流反向泄漏Vr为1μA@5.7V,该设备提供1200欧姆阻抗最大Zzt,该设备具有1.1V@200mA电压正向Vf Max If,公差为±5%。