9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5263BUR-1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5263BUR-1参考价格$2.82000。Microchip Technology 1N5263BUR-1封装/规格:DIODE ZENER。您可以下载1N5263BUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5263B-TR是DIODE ZENER 2.2A 56V DO35,包括Automotive AEC-Q101系列,它们设计用于胶带和卷轴(TR)包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004409盎司,具有通孔、高度设计为1.7毫米,以及3.9毫米长的安装方式,该设备也可以用作1.7毫米宽。此外,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向,其工作温度范围为-65°C~175°C,设备具有安装型通孔,供应商设备包装为DO-35,配置为单一,公差为±5%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为56V,阻抗最大Zzt为150欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@43V,电压正向Vf Max If为1.1V@200mA,Pd功耗为500mW,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为56V,电压容差为5%,电压温度系数为0.096%/K,齐纳电流为2.2mA,Zz齐纳阻抗为150欧姆,Ir反向电流为100nA。
1N5263B-TAP是DIODE ZENER 56V 500MW DO35,包括150欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于2.2 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于1.7 mm,提供Vz齐纳电压特性,如56 V,电压齐纳标称Vz设计用于56V,以及5%电压容差,该装置也可用作0.096%/K电压温度系数。此外,正向电压Vf Max If为1.1V@200mA,装置的单位重量为0.004409 oz,装置的公差为±5%,供应商装置包装为DO-35,系列为1N52xxB,最大功率为500mW,Pd功耗为500 mW,包装为切割胶带(CT)交替包装,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、,安装类型为通孔,安装类型为穿孔,最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+175℃,长度为3.9 mm,Ir反向电流为100 nA,阻抗最大值Zzt为150 Ohm,高度为1.7 mm,电流反向泄漏Vr为100nA@43V,配置为单一。
1N5263B-TP是DIODE ZENER 56V 500MW DO35,包括单一配置,它们设计为在43V电流反向泄漏Vr下工作100nA,高度如数据表注释所示,用于2mm,提供阻抗最大Zzt特性,例如150欧姆,Ir反向电流设计为在100nA下工作,长度为4.2mm,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,该设备为通孔安装型,该设备具有安装型通孔,其工作温度范围在-55℃~150℃,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向,包装为切割胶带(CT)交替包装,Pd功耗为500mW,最大功率为500mW;系列为1N526;供应商设备封装为DO-35;公差为±5%;单位重量为0.004833 oz;电压正向Vf Max If为1.1V@200mA;电压温度系数为0.096%/C;电压公差为20%;电压齐纳标称Vz为56V;Vz齐纳电压为56V,Zz齐纳阻抗为150欧姆。