9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N749A-1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N749A-1参考价格$4.27499。Microchip Technology JATXV1N749A-1封装/规格:ZENER二极管。您可以下载JATXV1N749A-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N749A-1,带有引脚细节,包括齐纳二极管产品,它们设计用于散装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004833盎司,具有5.08毫米的长度特性,宽度设计用于2.29毫米,以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱,其工作温度范围为-65°C~175°C。此外,安装类型为通孔,该设备在DO-35供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,公差为±5%,最大功率为500mW,电压齐纳标称Vz为4.3V,阻抗最大Zzt为18欧姆,电流反向泄漏Vr为2μa@1V,电压正向Vf Max If为1.1V@200mA,直径为2.29 mm,Pd功耗为500 mW,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,200 mA时Vf正向电压为1.1 V,Vz齐纳电压为4.3 V,电压容差为5%,电压温度系数为-0.005%/C 0.02%/C,齐纳电流为90 mA,Zz齐纳阻抗为18欧姆,Ir反向电流为50uA。
带用户指南的1N749A TR,包括22欧姆Zz齐纳阻抗,设计用于85 mA齐纳电流,数据表注释中显示了4.3 V的Vz齐纳电压,提供了4.3V等电压齐纳标称Vz特性,电压容差设计用于5%,以及1.5V@200mA电压正向Vf Max If,该器件也可以用作1.5V Vf正向电压。此外,装置的单位重量为0.004833盎司,装置公差为±5%,装置具有DO-35供应商装置包装,系列为1N749,最大功率为500mW,Pd功耗为500mW。包装为切割胶带(CT)交替包装,包装箱为DO-204AH,DO-35,轴向,其工作温度范围为-65°C~200°C,安装类型为通孔,安装类型为穿孔,最低工作温度范围为-65℃,最高工作温度范围+200℃,Ir反向电流为2 uA,阻抗最大值Zzt为22欧姆,反向电流Vr为2μA@1V,配置为单一。
1N749A_T50R,带有电路图,包括2μA@1V电流反向泄漏Vr,它们设计为在22欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,其工作温度范围为-65°C~200°C,包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴(TR)包装,该设备也可作为500mW最大功率使用。此外,供应商设备包为DO-35,该设备的容差为±5%,该设备具有1.5V@200mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为4.3V。
1N749A_T50A,带EDA/CAD型号,包括通孔安装型,设计用于磁带盒(TB)包装,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-35,提供DO-204AH、DO-35、轴向等包装箱功能,其工作温度范围为-65°C~200°C,最大功率为500mW,该器件也可以用作4.3V电压齐纳标称Vz。此外,电流反向泄漏Vr为2μA@1V,该器件提供22欧姆阻抗最大Zzt,该器件具有1.5V@200mA电压正向Vf最大If,公差为±5%。