9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N3821AUR-1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N3821AUR-1参考价格为18.64500美元。微芯片技术JATXV1N3821AUR-1封装/规格:二极管ZENER 3.3V 1W DO213AB。您可以下载JATXV1N3821AUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATXV1N3768R是DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB,包括军用MIL-PRF-19500/297系列,它们设计用于散装包装,安装类型如数据表注释所示,用于螺丝,提供DO-203AB、DO-5、螺柱等包装箱功能,安装类型设计用于底盘、螺柱安装以及DO-5供应商设备包,该设备还可以用作标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度。此外,二极管类型为标准型,反向极性,该器件提供10μA@1000V电流反向泄漏Vr,该器件具有1.4V@110A电压正向Vf Max If,电压直流反向Vr Max为1000V(1kV),电流平均整流Io为35A,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATXV1N3768是DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB,包括1.4V@110A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V(1KV)电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了DO-5中使用的供应商设备包,该DO-5提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),除了散装包装外,该设备还可以用作DO-203AB、DO-5、螺柱包装箱,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该设备采用螺钉安装式,该设备具有底座,螺柱安装式,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为10μa@1000V,电流平均整流Io为35A。
带有电路图的JATXV1N3821A-1,包括75μA@1V电流反向泄漏Vr,它们设计为在10欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,其工作温度范围为-65°C~175°C,包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及散装包装,该设备也可作为1W最大功率使用。此外,该系列为军用MIL-PRF-19500/115,该设备在DO-41供应商设备包中提供,该设备具有±5%的容差,电压正向Vf Max If为1.2V@200mA,电压齐纳标称Vz为3.3V。