9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N3018BUR-1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3018BUR-1参考价格为14.16000美元。Microchip Technology 1N3018BUR-1封装/规格:DIODE ZENER 8.2V 1W DO213AB。您可以下载1N3018BUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如1N3018BUR-1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
1N3018B-1,带有引脚细节,包括散装包装,它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向包装箱,其工作温度范围为-55°C~175°C,具有通孔等安装类型特征,供应商设备包设计用于DO-20 4AL(DO-41),以及±5%的公差,设备也可以用作1W最大功率。此外,电压齐纳标称Vz为8.2V,器件提供4.5欧姆阻抗最大Zzt,器件具有50μa@6.2V电流反向泄漏Vr,电压正向Vf Max If为1.2V@200mA。
带用户指南的1N3017B-1,包括7.5V电压齐纳标称Vz,它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差,公差为±5%,提供了供应商设备包功能,如DO-204AL(DO-41),功率最大值设计为1W,以及散装包装,该设备也可以用作DO-204AL、DO-41,轴向封装外壳,其工作温度范围为-55°C~175°C,该设备为通孔安装型,该设备具有4欧姆的阻抗最大Zzt,电流反向泄漏Vr为100μa@5.7V。
1N3017BUR-1是DIODE ZENER 7.5V 1W DO213AB,包括100μA@5.7V电流反向泄漏Vr,它们设计为在4欧姆阻抗最大Zzt下工作,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,其工作温度范围为-55°C~175°C,包装箱设计为在DO-213AB、MELF以及散装包装中工作,该设备也可作为1W最大功率使用。此外,供应商设备包为DO-213AB,该设备的容差为±5%,该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为7.5V。