9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N4101CUR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N4101CUR-1参考价格21.96000美元。微芯片技术JATX1N4101CUR-1包装/规格：DIODE ZENER 8.2V 500MW DO213AA。您可以下载JATX1N4101CUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATX1N4101C-1，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/435系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，具有通孔、长度设计为5.08 mm的安装类型特征，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-35（DO-204AH）供应商设备包中提供，该设备具有±2%的公差，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为8.2V，阻抗最大Zzt为200 Ohm，电流反向泄漏Vr为500nA@6.3V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，直径为2.29 mm。
JATX1N4100UR-1带有用户指南，包括7.5V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001270盎司，具有±5%等公差特性。供应商设备包设计用于DO-213AA以及军用MIL-PRF-19500/533系列，该器件也可作为500mW最大功率使用。此外，封装为散装，该器件采用DO-213AA封装盒，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，长度为3.7mm，阻抗最大Zzt为200 Ohm，直径为1.7mm，电流反向泄漏Vr为1μA@5.7V。
JATX1N4101-1是DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35，包括500nA@6.3V电流反向泄漏Vr，设计用于200 Ohm阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，以及DO-204AH、DO-35、，轴向包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，最大功率为500mW，该设备为军用MIL-PRF-19500/435系列，该设备具有DO-35供应商设备包，公差为±5%，单位重量为0.004833 oz，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为8.2V。
