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JATX1N4249是DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/286系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，具有通孔等安装方式特征，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及a，轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有1μa@1000V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.3V@3A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为5μs，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为25 A，最大浪涌电流为25 B，恢复时间为5 us。
JATX1N4247是DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1.3 V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供1.3 V正向电压特性，速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），MIL-PRF-19500/286系列，该设备也可用作5μs反向恢复时间trr。此外，恢复时间为5 us，该设备为标准恢复整流器产品，该设备具有散装包装，包装箱为a，轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，工作温度连接范围为-65°C至175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为25 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为25安，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为1μA@600V，平均整流电流Io为1A。
JATX1N4248是DIODE GEN PURP 800V 1A E3，包括1A电流平均整流Io，设计用于在1μa@800V电流反向泄漏Vr的情况下工作。二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准具有通孔等安装方式特征，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及E3封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为5μs，该设备在军用MIL-PRF-19500/286系列中提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包为E3，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.3V@3A。
