9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N4100C-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N4100C-1参考价格为14.79000美元。微芯片技术JATX1N4100C-1包装/规格：DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35。您可以下载JATX1N4100C-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N4099D-1是DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35，包括军用MIL-PRF-19500/435系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，提供安装类型特征，如通孔，长度设计为5.08 mm，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-35（DO-204AH）供应商设备包中提供，该设备具有±1%的公差，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为6.8V，阻抗最大Zzt为200 Ohm，电流反向泄漏Vr为1μa@5.2V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，直径为2.29 mm。
JATX1N4099CUR-1带有用户指南，包括6.8V电压齐纳标称Vz，设计用于在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了用于0.001270盎司的单位重量，提供±2%的公差特性，供应商设备包设计用于DO-213AA以及军用MIL-PRF-19500/435系列，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，包装为散装，该设备采用DO-213AA（玻璃）包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，长度为3.7mm，阻抗最大Zzt为200欧姆，直径为1.7mm，电流反向泄漏Vr为1μA@5.2V。
JATX1N4099UR-1是DIODE ZENER 6.8V 500MW DO213AA，包括10μA@5.17V电流反向泄漏Vr，设计用于直径为1.7 mm的工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于200欧姆，具有3.7 mm等长度特性，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA，装置采用散装包装，装置最大功率为500mW，系列为军用，MIL-PRF-19500/435，供应商装置包装为DO-213A，公差为±5%，单位重量为0.001270盎司，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为6.8V。
JATX1N4099DUR-1，带EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于SMD/SMT安装型，数据表说明中显示了DO-213AA中使用的包装箱，该DO-213AB提供供应商设备包装功能，如DO-213AC，包装设计用于散装，其工作温度范围为-65°C~175°C，该器件也可以用作6.8V电压齐纳标称Vz。此外，最大功率为500mW，设备长度为3.7mm，设备阻抗最大Zzt为200欧姆，电流反向泄漏Vr为1μa@5.2V，直径为1.7mm，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，单位重量为0.001270盎司，公差为±1%。
