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BZX84B33-G3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如BZX84B33V-G-18，单位重量设计为0.000286盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-2，配置为单一，公差为±2%，最大功率为300mW，电压齐纳标称Vz为33V，阻抗最大Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@23.1V，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为2%，电压温度系数为1 mV/C，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为50 nA。
BZX84B33-HE3-08带有用户指南，包括80欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于33 V Vz齐纳电压，数据表中显示了用于33 V的电压齐纳标称Vz，提供2%的电压容差特性，电压温度系数设计用于1 mV/C，以及0.000310盎司的单位重量，该装置也可用作±2%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为AEC-Q101系列汽车产品，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为300mW，Pd功耗为300mW；包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大值Zzt为80 Ohm，电流反向泄漏Vr为50 nA@23.1V，配置为单一。
BZX84B33-HE3-18带有电路图，包括单一配置，设计用于在50 nA@23.1V电流反向泄漏Vr下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于80 Ohm，提供Ir反向电流特性，如50 nA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，封装为胶带和卷轴（TR）交替封装，Pd功耗为300mW，最大功率为300mW；产品为小信号齐纳二极管，系列为汽车、AEC-Q101、，供应商设备包为SOT-23-3，公差为±2%，单位重量为0.000310盎司，电压温度系数为1 mV/C，电压公差为2%，电压齐纳标称Vz为33V，Vz齐纳电压为33 V，Zz齐纳阻抗为80欧姆。
BZX84B33Q-7-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。BZX84B33Q-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分，支持二极管齐纳单33V 2%350mW汽车用3引脚SOT-23 T/R。
