9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N665CUR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1965年1月1日CUR-1参考价格8.64000美元。微芯片技术JAN1N665CUR-1包装/规格：二极管ZENER 15V 500MW DO213AA。您可以下载JAN1N665CUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N1964DUR-1，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/117系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001270盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，长度设计为3.7mm，以及DO-213AA（玻璃）包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AA供应商设备包中提供，该设备具有±1%的公差，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为13V，阻抗最大Zzt为13 Ohm，电流反向泄漏Vr为500nA@9.9V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，直径为1.7 mm。
JAN1N665B-1是DIODE ZENER 15V 500MW DO35，包括15V电压齐纳标称Vz，它们设计为在200mA电压正向Vf最大值下工作1.1V。如果数据表注释中显示了用于0.004586 oz的单位重量，提供±5%等公差特性，供应商设备包设计为在DO-35中工作，以及500MW最大功率，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，装置具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，长度为4.44 mm，阻抗最大Zzt为16 Ohm，直径为2.03 mm，电流反向泄漏Vr为5μa@11.4V。
JAN1N665BUR-1，带有电路图，包括500nA@11V电流反向泄漏Vr，设计用于在16欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计用于DO-213AA（玻璃）以及散装包装，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/117，该设备在DO-213AA供应商设备包中提供，该设备具有±5%的容差，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为15V。
