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JATX1N6392是DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5，包括军用MIL-PRF-19500/554系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-203AB、DO-5、螺柱的包装箱，提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，供应商设备包设计用于DO-203A B（DO-5），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为2mA@45V，该器件提供680mV@50A电压正向Vf Max。如果，该器件具有45V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为54A，电容Vr F为3000pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
JATX1N645-1是DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35，包括1V@400MA正向电压Vf Max。如果它们设计为在225V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-35中使用的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了散装包装外，该器件还可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50nA@225V，电流平均整流Io为400mA。
JANTX1N645UR-1，带电路图，包括400mA电流平均整流Io，设计用于在50nA@225V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AA封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/240，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有DO-213AA供应商设备包，直流反向电压Vr最大值为225V，正向电压Vf最大值为1V@400mA。
