9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N3017DUR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2017年1月1日DUR-1参考价格为39.16500美元。微芯片技术JAN1N3017DUR-1包装/规格：二极管ZENER 7.5V 1W DO213AB。您可以下载JAN1N3017DUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JAN1N13016CUR-1，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/115系列，设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004021盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，长度设计为5.21 mm，以及DO-213AB，MELF包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AB（MELF，LL41）供应商设备包中提供，该设备具有±2%的公差，最大功率为1W，电压齐纳标称Vz为6.8V，阻抗最大Zzt为3.5欧姆，电流反向泄漏Vr为150μa@5.2V，电压正向Vf最大If为1.2V@200mA，直径为2.67 mm。
JAN1N3016DUR-1，带用户指南，包括6.8V电压齐纳标称Vz，设计用于在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了单位重量，用于0.004021盎司，提供±1%的公差特性，供应商设备包设计用于DO-213AB（MELF，LL41）以及军用MIL-PRF-19500/115系列，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，该设备采用散装包装，采用DO-213AB，MELF封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，长度为5.21 mm，阻抗最大Zzt为3.5欧姆，直径为2.67 mm，电流反向泄漏Vr为150μA@5.2V。
带有电路图的JAN1N3016C-1，包括150μA@5.2V电流反向泄漏Vr，它们设计为在3.5欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供安装类型特征，如通孔，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C，以及DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，功率最大值为1W，该设备为军用MIL-PRF-19500/115系列，该设备具有DO-41供应商设备包，公差为±5%，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压齐纳标称Vz为6.8V。
JAN1N13016D-1，带EDA/CAD型号，包括通孔安装类型，设计用于通孔安装型，系列如军用MIL-PRF-19500/115数据表注释所示，提供DO-41等供应商设备包功能，包壳设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及散装包装，该器件也可以用作6.8V电压齐纳标称Vz，其工作温度范围为-55°C~175°C，该器件提供3.5欧姆阻抗最大Zzt，该器件的最大功率为1W，电流反向泄漏Vr为150μa@5.2V，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，容差为±1%。
