9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N829UR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2018年1月1日，参考价格为25.05000美元。微芯片技术JAN1N829UR-1包装/规格：DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA。您可以下载JAN1N829UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N827-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35，包括军用MIL-PRF-19500/159系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，提供安装类型特征，如通孔，长度设计为4.44 mm，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-35供应商设备包中提供，该设备具有±5%的公差，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为6.2V，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@3V，直径为2.03 mm。
JAN1N825-1是DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35，包括6.2V电压齐纳标称Vz，设计用于0.004586盎司单位重量，公差显示在数据表注释中，使用范围为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-35，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/159，以及500MW最大功率，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，长度为4.44 mm，阻抗最大Zzt为15 Ohm，直径为2.03 mm，电流反向泄漏Vr为2μa@3V。
JAN1N827UR-1带有电路图，包括2μA@3V电流反向泄漏Vr，它们设计为在直径为1.7 mm的情况下工作，阻抗最大值Zzt如数据表注释所示，用于15欧姆，具有3.7 mm等长度特性，安装类型设计为在表面安装以及SMD/SMT安装类型中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA，装置采用散装包装，装置最大功率为500mW，系列为军用MIL-PRF-19500/159，供应商装置包装为DO-213A，公差为±5%，单位重量为0.001270盎司，电压齐纳标称Vz为6.2V。
JAN1N825UR-1，带EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于SMD/SMT安装型，系列如军用MIL-PRF-19500/159的数据表注释所示，提供DO-213AA等包装箱功能，供应商设备包设计用于DO-213A，以及散装包装，该器件也可以用作6.2V电压齐纳标称Vz。此外，最大功率为500mW，设备长度为3.7mm，设备具有2μa@3V的反向电流泄漏Vr，阻抗最大Zzt为15欧姆，直径为1.7mm，单位重量为0.001270盎司，公差为±5%。
