9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N5525CUR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1月1日5525CUR-1参考价格35.59500美元。微芯片技术JAN1N5525CUR-1包装/规格：二极管ZENER 6.2V 500MW DO213AA。您可以下载JAN1N5525CUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N5521C-1，带销细节，包括军用MIL-PRF-19500/437系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，具有通孔、长度设计为5.08 mm的安装类型特征，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-35（DO-204AH）供应商设备包中提供，该设备具有±2%的公差，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为4.3V，阻抗最大Zzt为18 Ohm，电流反向泄漏Vr为3μa@1.5V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，直径为2.29 mm。
JAN1N5521D-1带有用户指南，包括4.3V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了单位重量，用于0.004586盎司，具有±1%的公差特性。供应商设备包设计用于DO-35（DO-204AH）以及军用MIL-PRF-19500/437系列，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，包装为散装，该设备提供DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，长度为5.08 mm，阻抗最大Zzt为18欧姆，直径为2.29 mm，电流反向泄漏Vr为3μA@1.5V。
带有电路图的JAN1N5521CUR-1，包括3μA@1.5V电流反向泄漏Vr，它们设计为在1.7 mm直径下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于18 Ohm，提供3.7 mm等长度特性，安装类型设计为在表面安装中工作，以及SMD/SMT安装样式，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA（玻璃），该设备为散装包装，该设备最大功率为500mW，系列为军用MIL-PRF-19500/437，公差为±2%，单位重量为0.001270盎司，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为4.3V。
JAN1N5521DUR-1，带EDA/CAD型号，包括表面安装安装型，设计用于SMD/SMT安装型，系列如军用MIL-PRF-19500/437数据表注释所示，提供DO-213AA（玻璃）等包装箱功能。包装设计用于散装，其工作温度范围为-65°C~175°C，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，电压齐纳标称Vz为4.3V，该设备提供3μA@1.5V电流反向泄漏Vr，该设备长度为3.7mm，阻抗最大Zzt为18欧姆，直径为1.7mm，电压正向Vf最大If为1.1V@200mA，单位重量为0.001270盎司，公差为±1%。
