9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N3828DUR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1月13828DUR-1参考价格$42.70500。Microchip Technology JAN1N3828DUR-1包装/规格：DIODE ZENER 6.2V 1W DO213AB。您可以下载JAN1N3828DUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N3827CUR-1，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/115系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004021盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，长度设计为5.2 mm，以及DO-213AB，MELF包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AB（MELF，LL41）供应商设备包中提供，该设备具有±2%的公差，最大功率为1W，电压齐纳标称Vz为5.6V，阻抗最大Zzt为5欧姆，电流反向泄漏Vr为3μa@2V，电压正向Vf最大If为1.2V@200mA，直径为2.66 mm。
JAN1N3827DUR-1带有用户指南，包括5.6V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了单位重量，用于0.004021盎司，具有±1%的公差特性，供应商设备包设计用于DO-213AB（MELF，LL41）以及军用MIL-PRF-19500/115系列，该器件也可作为1W功率最大值使用。此外，该器件采用散装封装，采用DO-213AB，MELF封装盒，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，长度为5.2 mm，阻抗最大值Zzt为5欧姆，直径为2.66 mm，电流反向泄漏Vr为3μA@2V。
JAN1N3827C-1带有电路图，包括3μA@2V电流反向泄漏Vr，它们设计为在5欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供SMD/SMT等安装类型功能，其工作温度范围为-65°C~175°C，以及DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，最大功率为1W，该设备为军用MIL-PRF-19500/115系列，该设备具有DO-41供应商设备包，公差为±2%，单位重量为0.004021盎司，电压正向Vf Max If为1.2V@200mA，电压齐纳标称Vz为5.6V。
JAN1N3827D-1，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于SMD/SMT安装型，系列如军用MIL-PRF-19500/115数据表注释所示，提供DO-41等供应商设备包功能，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及散装包装，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，电压齐纳标称Vz为5.6V，该器件提供5欧姆阻抗最大Zzt，该器件具有3μa@2V电流反向泄漏Vr，最大功率为1W，电压正向Vf最大If为1.2V@200mA，单位重量为0.004021盎司，公差为±1%。
