9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MM3Z12VT1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MM3Z12VT1参考价格$0.02000。onsemi MM3Z12VT1包装/规格：二极管ZENER 12V 200MW SOD323。您可以下载MM3Z12VT1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MM3Z12VST1G是DIODE ZENER 12V 200MW SOD323，包括MM3Z12 VS系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001164盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.9 mm，长度为1.7 mm，设备也可以用作1.25 mm宽度。此外，封装外壳为SC-76、SOD-323，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备为安装型表面安装，供应商设备封装为SOD-323。配置为单一，公差为±2%，功率最大值为200mW，电压齐纳标称Vz为12V，阻抗最大值Zzt为25欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@8V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为11.99 V，电压容差为2%，电压温度系数为8 mV/K，齐纳电流为10 mA，Zz齐纳阻抗为25欧姆，Ir反向电流为100nA。
MM3Z12VC是DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F，包括23欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为1.3毫米，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于12 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如12V，电压容差设计为5%，以及1V@10mA电压正向Vf Max If，该装置也可以用作0.000974盎司单位重量。此外，公差为±5%，该器件采用SOD-323F供应商器件封装，该器件最大功率为200mW，Pd功耗为200mW；封装为Digi-ReelR替代封装，封装外壳为SC-90，SOD-323F，工作温度范围为-65°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，长度为1.7 mm，Ir反向电流为90 nA，阻抗最大Zzt为23 Ohm，高度为1 mm，电流反向泄漏Vr为900nA@8V，配置为单一。
MM3Z12VST1是DIODE ZENER 12V 200MW SOD323，包括100nA@8V电流反向泄漏Vr，设计用于25欧姆阻抗最大Zzt，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计用于SC-76、SOD-323以及切割胶带（CT）包装，该设备也可作为200mW最大功率使用。此外，供应商设备包为SOD-323，该设备的容差为±2%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为12V。
MM3Z12VCW，带有TAK制造的EDA/CAD模型。MM3Z12VCW采用SOT-323封装，是IC芯片的一部分。
