9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MMBZ5221ELT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ5221ELT1G参考价格为0.28美元。onsemi MMBZ5221ELT1G包装/规格：二极管ZENER 2.4V 225MW SOT23-3。您可以下载MMBZ5221ELT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBZ5221BW-7-F是DIODE ZENER 2.4V 200MW SOT323，包括MMBZ5221系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1毫米，长度为2.2毫米，设备也可用于1.35毫米宽。此外，封装外壳为SC-70、SOT-323，其工作温度范围为-65°C~150°C，器件具有安装型表面安装，供应商器件封装为SOT-323、配置为单一，公差为±5%，功率最大值为200mW，电压齐纳标称Vz为2.4V，阻抗最大值Zzt为30欧姆，电流反向泄漏Vr为100μa@1V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为2.4 V，电压容差为5%，齐纳电流为20 mA，Zz齐纳阻抗为30欧姆，Ir反向电流为100 uA。
MMBZ5221ELT1是DIODE ZENER 2.4V 225MW SOT23-3，包括2.4V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），功率最大值设计为225MW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件的阻抗最大值为30欧姆，电流反向泄漏Vr为100μa@1V。
MMBZ5221BW-7是DIODE ZENER 2.4V 200MW SOT323，包括100μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于在30欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计用于SC-70、SOT-323以及切割胶带（CT）包装，该设备也可作为200mW最大功率使用。此外，供应商设备包为SOT-323，该设备的容差为±5%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为2.4V。
