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MMBZ5229B-HE3-08,带引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于小信号齐纳二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.000310盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,公差为±5%,功率最大值为225mW,电压齐纳标称Vz为4.3V,阻抗最大值Zzt为22欧姆,电流反向泄漏Vr为5μa@1V,Pd功耗为225 mW,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为4.3 V,电压容差为5%,电压温度系数为-0.005%/C,Zz齐纳阻抗为22欧姆,Ir反向电流为5 uA。
MMBZ5229B-HE3-18带有用户指南,包括22欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于4.3V Vz齐纳电压,数据表注释中显示了4.3V电压齐纳标称Vz,提供5%的电压容差特性,电压温度系数设计用于-0.055%/C,以及0.000310oz单位重量,该装置也可用作±5%公差。此外,供应商设备包装为SOT-23-3,该设备为汽车AEC-Q101系列,该设备具有小信号齐纳二极管产品,最大功率为225mW,Pd功耗为225mW,包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为5 uA,阻抗最大值Zzt为22欧姆,反向电流Vr为5μA@1V,配置为单一。
MMBZ5229BL,带有MOT制造的电路图。MMBZ5229BL采用SOT-23封装,是Diodes-Zener-Single的一部分。