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BZX85C3V9-TAP是DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，其设计可与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长的安装方式，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为3.9V，阻抗最大值Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为10μa@1V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为3.9 V，电压容差为5%，电压温度系数为-0.045%/C，齐纳电流为280 mA，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为10 uA。
BZX85C3V9_T50R带用户指南，包括3.9V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.2V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-41，功率最大值设计为1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~200°C，该设备为通孔安装型，该设备具有15欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为5μa@1V。
BZX85C3V9_T50A，带电路图，包括5μA@1V电流反向泄漏Vr，它们设计为在15欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向以及磁带盒（TB）包装，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-41，该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为3.9V。
