9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N5530DUR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N5530DUR-1参考价格为59.52000美元。微芯片技术JATXV1N5530DUR-1封装/规格：二极管ZENER 10V 500MW DO213AA。您可以下载JATXV1N5530DUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5530B（DO35），带销细节，包括散装包装，设计用于0.004833 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-204AH、DO-35、轴向等包装箱功能，其工作温度范围为-65°C~175°C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作DO-35供应商设备包。此外，容差为±5%，该设备的最大功率为500mW，该设备具有10V电压齐纳标称Vz，阻抗最大Zzt为60欧姆，电流反向泄漏Vr为50nA@9.1V，电压正向Vf最大If为1.1V@200mA。
1N5529B（DO35），带有用户指南，包括9.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及散装包装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35，轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，该设备为通孔安装型，该设备的阻抗最大值为45欧姆，Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@8.2V。
1N5529BUR-1是Microsemi制造的齐纳二极管低压雪崩齐纳。1N5529BUR-1在DO-213AA封装中提供，是二极管-齐纳-单体的一部分，并支持齐纳二极管低压雪崩齐纳、齐纳二极管、二极管齐纳单体9.1V 5%500mW 2引脚DO-213A。
1N5530BUR-1是Microsemi制造的齐纳二极管低压雪崩齐纳。1N5530BUR-1采用DO-213AA封装，是二极管-齐纳-单体的一部分，支持齐纳二极管低压雪崩齐纳、齐纳二极管。
