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BZX85C51-TAP是DIODE ZENER 51V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，其设计可与磁带盒（TB）替代包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-41，配置为单一，公差为±5%，最大功率为1.3W，电压齐纳标称Vz为51V，阻抗最大Zzt为115欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@39V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为51 V，电压容差为6%，电压温度系数为0.0775%/C，齐纳电流为21 mA，Zz齐纳阻抗为115欧姆，Ir反向电流为500nA。
BZX85C51-TR是DIODE ZENER 51V 1.3W DO41，包括115欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于21 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如51 V，电压齐纳标称Vz设计用于51V，以及6%的电压容差，该装置也可用作0.078%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±5%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为500 nA，阻抗最大Zzt为115 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为500nA@39V，配置为单一。
BZX85C51V，带有VISHAY制造的电路图。BZX85C51V采用DO-41封装，是IC芯片的一部分。
