9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N3821DUR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N3821DUR-1参考价格为59.65500美元。微芯片技术JATXV1N3821DUR-1封装/规格：二极管ZENER 3.3V 1W DO213AB。您可以下载JATXV1N3821DUR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATXV1N3768R是DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB，包括军用MIL-PRF-19500/297系列，它们设计用于散装包装，安装类型如数据表注释所示，用于螺丝，提供DO-203AB、DO-5、螺柱等包装箱功能，安装类型设计用于底盘、螺柱安装以及DO-5供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，反向极性，该器件提供10μA@1000V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.4V@110A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为35A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATXV1N3766R是DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB，包括1.4V@110A正向电压Vf Max。如果它们设计用于800V直流反向电压Vr Max，则数据表说明中显示了用于DO-5的供应商设备包，该DO-5提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于军用，MIL-PRF-19500/297，除了散装包装外，该设备还可以用作DO-203AB、DO-5、螺柱包装箱，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备采用螺钉安装式，该设备具有底座，螺柱安装式，二极管类型为标准型，反向极性，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电流平均整流Io为35A。
JATXV1N3768是DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB，包括35A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@1000V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装、，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置也可以用作DO-203AB、DO-5、螺柱包装箱。此外，包装为散装，该设备为军用MIL-PRF-19500/297系列，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-5，直流反向电压Vr最大值为1000V（1kV），正向电压Vf最大值为1.4V@110A。
JATXV1N3766是DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB，包括标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，它们设计用于标准二极管类型，安装样式如数据表注释所示，用于螺丝，提供军用、MIL-PRF-19500/297等系列功能，供应商设备包设计用于DO-5，以及DO-203AB、DO-5、螺柱包外壳，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，该封装是散装的，该器件提供800V电压DC反向Vr Max，其工作温度结范围为-65°C~175°C，电流平均整流Io为35A，电流反向泄漏Vr为10μA@800V，电压正向Vf Max If为1.4V@110A。
