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1N5253B-TAP是DIODE ZENER 25V 500MW DO35,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于磁带盒(TB)包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004409盎司,具有通孔、高度设计为1.7 mm以及3.9 mm长的安装方式,该设备也可用于1.7 mm宽。此外,包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向,其工作温度范围为175°C,设备具有安装型通孔,供应商设备包装为DO-35,配置为单一,公差为±5%,功率最大值为500mW,电压齐纳标称Vz为25V,阻抗最大值Zzt为35欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@19V,正向电压Vf Max If为1.1V@200mA,Pd功耗为500mW,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vz齐纳电压为25 V,电压容差为5%,电压温度系数为0.089%/K,齐纳电流为5 mA,Zz齐纳阻抗为35欧姆,Ir反向电流为100nA。
1N5253B-T是DIODE ZENER 500MW DO35,包括35欧姆Zz齐纳阻抗,它们设计用于10 mA齐纳电流,宽度如数据表注释所示,用于2 mm,提供Vz齐纳电压特性,如25 V,电压齐纳标称Vz设计用于25 V,以及5%电压容差,该器件也可以用作0.089%/C电压温度系数。此外,正向电压Vf Max If为1.1V@200mA,装置的单位重量为0.004833 oz,装置的公差为±5%,供应商装置包装为DO-35,系列为汽车、AEC-Q101,最大功率为500mW,Pd功耗为500 mW,包装为胶带和卷筒(TR),包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、,它的工作温度范围为175°C,安装类型为通孔,安装类型是通孔,最小工作温度范围是-65 C,最大工作温度范围+175 C,长度为4.2 mm,Ir反向电流为100 nA,阻抗最大Zzt为600 Ohm,高度为2 mm,并且电流反向泄漏Vr为100nA@19V,并且配置为单一。
1N5253BTA,带电路图,包括100nA@18.1V电流反向泄漏Vr,设计用于35欧姆阻抗最大Zzt的工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,工作温度范围为200°C,包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴(TR)包装,该设备也可作为500mW最大功率使用。此外,供应商设备包为DO-35,该设备的容差为±5%,该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If,电压齐纳标称Vz为25V。