9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的1N5256B-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5256B-TP参考价格为0.21美元。微型商用Co 1N5256B-TP包装/规格：DIODE ZENER 30V 500MW DO35。您可以下载1N5256B-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5256B-TAP是DIODE ZENER 4.2A 30V DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带盒（TB）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，具有通孔、高度设计为1.7毫米，以及3.9毫米长的安装方式，该设备也可以用作1.7毫米宽。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为30V，阻抗最大Zzt为49欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@23V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为30 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.091%/K，齐纳电流为4.2 mA，Zz齐纳阻抗为49欧姆，Ir反向电流为100nA。
1N5256B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括49欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为2 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，适用于30 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如30V，电压容差设计工作在5%，以及0.091%/C电压温度系数，该装置也可作为1.1V@200mA电压正向Vf Max If使用。此外，单位重量为0.004586 oz，该装置的公差为±5%，该装置具有DO-35供应商装置包，系列为AEC-Q101，最大功率为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，它的工作温度范围为175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+200 C，长度为4 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为600 Ohm，高度为2 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@23V，配置为单一。
1N5256BTA是DIODE ZENER 30V 500MW DO35，包括100nA@22V电流反向泄漏Vr，设计用于49欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为30V。
